- 近日，鴻海 研究院半導體所，攜手陽明交大電子所，雙方研究團隊在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破，提高了第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能，為未來高功率電子元件開辟了新的可能性。第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3)
因其優異的性能，被視為下一代半導體材料的代表。它擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場強 (8 MV/cm) 等特性，較現有的硅
(Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等材料具有顯著優勢，這些特性使得氧化鎵特別適用于電動車
- 關鍵字：
鴻海 第四代化合物半導體
第四代化合物半導體介紹
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