- 受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營銷組的應用經理，負責工業和個人電子市場的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過去20年中設計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？
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- 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據CCS Insight 的預測，到2023 年，5G 用戶數量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎設施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應用，涵蓋移動通信、無線網絡、點對點和點對多點微波通
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- 11月27日， 由中國科學技術協會與深圳市人民政府共同主辦，由中國科協企業創新服務中心、深圳市科學技術協會承辦、深圳市科技交流服務中心、深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創新中心執行的“2021中歐科技創新合作發展論壇”專業論壇——“2021中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上，來自國內及英國、法國、比利時等國際知名的科學家、科技組織、科研院校、行業協會、半導體企業及投資機構等泛第三代半導體產業生態圈的代表參與大會，共同探討中歐第三代半導體產業發展和應用現況及未來趨勢，并就如何深化“碳中和”目標
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- 新基建和“雙碳”戰略目標推動下，第三代半導體產業正在開啟發展加速度，有望成為綠色經濟的中流砥柱，引領新一輪產業革命。“創新為基，創芯為本”，11月27日，2021基本創新日活動在深圳盛大啟幕。基本半導體總經理和巍巍博士在會上發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業進一步發展，受到了現場來自汽車、工業、消費等領域以及第三代半導體產業生態圈的多位業內人士的高度關注。汽車級全碳化硅功
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- 9月17日，專注于第三代半導體基本半導體功率器件的深圳基本半導體有限公司完成C1輪融資，由現有股東博世創投、力合金控，以及新股東松禾資本、佳銀基金、中美綠色基金、厚土資本等機構聯合投資。本輪融資將繼續用于加速碳化硅功率器件的研發和產業化進程。當前，第三代半導體正處于快速發展的黃金賽道。基本半導體經過多年深耕，掌握了國際領先的碳化硅核心技術，研發領域覆蓋碳化硅的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等全產業鏈，先后推出全電流電壓等級的碳化硅肖特基二極管及MOSFET、車規級碳化硅功率模塊、碳化硅驅
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- 半導體材料是信息技術的核心基礎材料，一代材料、一代技術、一代產業，半個多世紀來從基礎技術層面支撐了信息技術翻天覆地的變化，推動了電子信息科技產業可持續蓬勃發展。同樣地，信息技術和電子信息科技產業發展需求又驅動了半導體材料與技術的發展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料，它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發展起來的新型寬禁帶半導體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
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- 近日，隸屬于博世集團的羅伯特·博世創業投資公司（RBVC）已完成對基本半導體的投資。基本半導體總部位于深圳，是中國領先的碳化硅功率器件提供商之一。碳化硅是第三代半導體的代表材料。采用碳化硅的功率半導體以更具優勢的性能正逐步取代硅基半導體，廣泛應用在新能源汽車、 充電樁、5G基建、特高壓、城際高鐵和軌道交通、大數據中心等。今后五年是第三代半導體技術和產業飛速發展的窗口期。博世創業投資公司合伙人蔣紅權博士表示：“中國是全球最大的電力電子市場。基本半導體自主研發的產品及本地可控的供應鏈可滿足快速增長的中國市場需
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- 2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研發及產業化的國內第三代半導體行業領軍企業基本半導體宣布完成數億元人民幣B輪融資，由聞泰科技領投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機構跟投，原股東力合資本追加投資。據透露，本輪融資基于基本半導體發展戰略規劃，引入了對第三代半導體的研發、制造和市場環節具有重要價值的戰略投資方。所融資金將主要用于加強碳化硅器件的核心技術研發、重點市場拓展和制造基地建設，特別是車規級碳化硅功率模塊的研發和量產。基本半導體成立于2016年，核心研發團隊成員包括來自清華大
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- 11月21日，在中歐第三代半導體產業高峰論壇期間，基本半導體同期主辦碳化硅功率器件技術交流會、汽車級碳化硅模塊與電機控制技術閉門會系列活動，為業內搭建交流合作的專業平臺。閉門會上，基本半導體邀請了一汽集團、北汽集團、上汽集團、廣汽集團、長城汽車、小鵬汽車、豐田汽車、電裝中國、大陸汽車、上海保隆、清華大學等國內外整車廠和電機控制器Tier1的企業代表、高校教授、投資專家等專業人士，圍繞汽車行業對碳化硅模塊的技術需求和在碳化硅電機控制器開發方面遇到的問題及其解決方案進行探討，以推進碳化硅模塊的測試、驗證和產業
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- 11月20日，由中國科學技術協會與深圳市人民政府共同主辦，中國科協企業創新服務中心、深圳市科學技術協會等單位承辦，深圳市科技開發交流中心、深圳中歐創新中心等單位執行，基本半導體等單位協辦的“2020中歐科技創新合作發展論壇”分論壇——“2020中歐第三代半導體產業高峰論壇”在深圳五洲賓館隆重舉行。論壇圍繞第三代半導體行業的國際合作、市場熱點和技術前沿話題，邀請中外半導體領域專家學者進行經驗分享，探討中歐半導體合作發展新路徑。深圳市科學技術協會副主席張治平在致辭中表示，深圳市政府高度重視半導體產業的發展，推
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- 11月15日，由中國科學技術協會、深圳市人民政府主辦，深圳市科學技術協會、中國科協科學技術傳播中心承辦的2019中瑞產學研發展論壇在深圳五洲賓館成功落下帷幕。2019中瑞產學研發展論壇主會場中國科協副主席、書記處書記孟慶海，瑞典皇家工程科學院副院長Magnus Breidne，廣東省科協黨組成員、專職副主席馮日光，深圳市委常委、統戰部部長林潔，香港中文大學工程學院副院長黃錦輝，西湖大學副校長、光學工程講席教授仇旻，瑞典國家級孵化器與科技園聯盟4SmartGrowth項目高級執行董事、SISP中國市場關系總
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- 一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源，核心功能的實現都離不開電力電子系統中半導體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點，國際上都在競相研發碳化硅半導體制備技術。近日，記者在區內企業世紀金光半導體有限公司（以下簡稱“世紀金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現小批量試產，研發的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領域，實現第三代半導體碳化硅關鍵領域全面布局。
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- 日前，基本半導體與NetPower簽訂戰略合作協議，雙方將共同開發歐美地區第三代半導體市場。這是基本半導體繼成立瑞典海外營銷中心后，公司國際化戰略的又一里程碑。根據合作協議，NetPower正式成為基本半導體歐美地區授權分銷商，為歐洲及北美客戶提供基本半導體全線碳化硅功率器件產品銷售、方案咨詢和售后等相關服務。此次戰略合作的達成，將實現基本半導體與NetPower的優勢互補與資源有效整合，為基本半導體全面實施國際化經營戰略，提升品牌的國際知名度提供有力支撐。NetPower于2000年在美國德克薩斯州成立
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- 近日，全國政協副主席、致公黨中央主席、中國科學技術協會主席萬鋼一行蒞臨深圳第三代半導體研究院調研。研究院院長趙玉海、副理事長吳玲等陪同調研。基本半導體作為深圳第三代半導體研究院發起共建單位受邀參加調研活動。 萬鋼主席一行在趙玉海院長陪同下詳細了解了第三代半導體產業的發展情況，并參觀了研究院碳化硅襯底、外延、器件、封裝，硅基GaN外延，新能源汽車變換器等實物展品。 基本半導體董事長汪之涵博士、副總經理張振中博士和高級顧問高躍博士向萬鋼一行匯報了基本半導體在碳化硅功率器件領域的創新成果，介紹了自主研發
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- 新年伊始，基本半導體正式發布國內首款擁有自主知識產權的工業級碳化硅MOSFET，該產品各項性能達到國際領先水平，其中短路耐受時間更是長達6μs。碳化硅MOSFET的發布，標志著基本半導體在第三代半導體研發領域取得重大進展，自主研發的碳化硅功率器件繼續領跑全國。 近年來，基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導體材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理極限，產業發展進入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射
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