- 據悉，臺灣代工廠聯電(UMC)計劃于2011年年中開始，使用28nm新工藝試產3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產。
聯電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術，是聯電與日本爾必達、臺灣力成科技(PTI)共同研發完成的。這次三方合作匯聚了聯電的制造技術、爾必達的內存技術和力成的封裝技術，并在3D IC方案中整合了邏輯電路和DRAM。
孫世偉指出，客戶需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
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聯電 28nm 立體堆疊式芯片
立體堆疊式芯片介紹
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