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        物理所合作研究基于I II V族半導體的新型稀磁體
        
                                                            
          
                    	
        • 　　半導體科學和技術構成現(xiàn)代信息社會的基礎，隨著信息存儲密度迅猛增長，為突破摩爾定律瓶頸需要發(fā)展新的信息存儲載體。在制作和研發(fā)工藝成熟的半導體中注入自旋，形成兼具電荷屬性和自旋特性的稀磁半導體，成為解決這個關鍵問題最可能的突破口。
　　 
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        半導體  薄膜材料  稀磁體                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
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