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浙大聯(lián)合實驗室制備出厚度達(dá)100 mm碳化硅單晶

• 近日，浙大杭州科創(chuàng)中心官微發(fā)文稱，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室（簡稱聯(lián)合實驗室）首次生長出厚度達(dá)100 mm的超厚碳化硅單晶。文章指出，為提升碳化硅晶體厚度，聯(lián)合實驗室開展了提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生長超厚碳化硅單晶的研究（圖1a）。   source：先進(jìn)半導(dǎo)體研究院采用提拉式物理氣相傳輸法，聯(lián)合實驗室成功生長出直徑為6英寸（即150mm）的碳化硅單晶，其厚度
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