硅納米線陣列 文章 最新資訊

我國在硅納米線陣列寬光譜發光研究中取得新進展

• 　　近期，中國科學院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室SOI材料與器件課題組在硅納米線陣列寬光譜發光方面取得新進展。課題組研究人員將SOI與表面等離子體技術相結合，研究了硅納米線陣列的發光性能，并且與復旦大學合作借助時域有限差分法(FDTD)理論計算了硅納米線發光峰位與納米腔共振模式的對應關系，為實現硅基光電集成奠定了實驗與理論基礎，有助于推動硅基光源的大規模應用。相關研究成果以Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedde
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