- 在開關模式電源中使用GaN開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關模式電源中的未來前景。如今，電源管理設計工程師常常會問道：現在應該從硅基功率開關轉向GaN開關了嗎？氮化鎵(GaN)技術相比傳統硅基MOSFET有許多優勢。GaN是寬帶隙半導體，可以讓功率開關在高溫下工作并實現高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高，可適用于100 V以上的應用。而對于100 V以下的各種電源設計，GaN的高功率密
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ADI 硅基功率開關 GaN開關
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