- 應用直通矽晶穿孔(TSV)技術的三維積體電路(3DIC)為半導體業界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優勢。然而，若要讓3DIC成為主流，還必須執行許多基礎的工作。電子設計自動化(EDA)業者提供周延的解決方案支援3DIC革命，包括類比與數位設計實現、封裝與印刷電路板(PCB)設計工具。半導體廠可以運用這個解決方案，滿足高效率設計應用TSV技術的3DIC的所有需求。
隨著更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加，許多IC團隊都在期待應用TSV技術的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
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矽穿孔 3D
- 國研院今發表「積層型3D-IC」技術，可將訊號傳輸速度提升數百倍、耗能降低至少一半。預計今年便可運用在顯示器上，未來將陸續與國內記憶體、面板及晶圓代工產業合作，估計技轉金約需上億元，是國研院截至目前為止的最高技轉金額。
新世代要求多功能、可攜式智慧行動裝置，需要傳輸速度更快、更低耗能的晶片來處理，因此近年來積體電路(IC)制作漸由平面2DIC衍伸出立體結構的3DIC，藉由IC堆疊來縮短訊號傳輸距離。目前半導體廠制作3DIC主要是以「矽穿孔3D-IC技術」，將兩塊分別制作完成的IC晶片以垂直導線連
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矽穿孔 芯片
- 行動運算產品市場持續朝產品薄化方向設計，目前相關設計多使用整合晶片減少元件用量，對于異質核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術將會造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復雜的3DIC技術進行元件整合的積極微縮設計…
矽晶片的制程技術，一直是推進行動終端產品躍進式升級、改善的關鍵驅動力，以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質核心進行整合，目前已經產生簡化料件、縮減關鍵元件占位面積的目的，但隨著使用者對于行動裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高，
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3D 制程 矽穿孔
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