- 比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。
隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅動電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導體可望超越矽晶本身性能，持續微縮至更制程。
- 關鍵字：
FinFET 矽材料
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