- 日立(Hitachi Ltd.)與瑞薩科技(Renesas Technology)日前發布了低功耗相位轉換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程。與采用以前技術的日立和瑞薩發布的產品相比，每個單元的功耗降低了50%。 據介紹，相對于現有的非易失存儲器，新的相位轉換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優異。因此，
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相位轉換存儲器介紹
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