- 意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。意法半導體的MasterGaN產品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優化的柵極驅動器、系統保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅動開發難題。這兩款產品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡化了電路布局。這兩款新器件內置兩個連接成半橋的Ga
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氮化鎵 電橋芯片 st 電源設計
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