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意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值

• 意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術(shù)簡化電源設計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設計目標。意法半導體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動器、系統(tǒng)保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動開發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡化了電路布局。這兩款新器件內(nèi)置兩個連接成半橋的Ga
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