- 隨著功率半導體IGBT，SiC MOSFET技術的發展和系統設計的優化，電平位移驅動電路應用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A，可驅動中功率IGBT，包括Easy系列模塊。目標10kW+應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機。本文就來介紹一個設計案例，采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET 5kW交錯調制圖騰柱PFC評估板。從設計上看，這是一個很好的工業應用案例，涉及自舉電路用在中功率驅動和工頻50Hz的驅
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設計案例 電平位移 驅動電路設計
- 提出了一種基于0.35μm BCD工藝的電平位移電路。該電路使用了耐壓5V的CMOS器件。通過對常規電平位移電路進行分析，提出了優化改善的電平位移電路。電路仿真結果顯示，與常規的電平位移電路相比，改進的電路具有功耗低、輸出電平穩定可靠等特點。
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電平位移 低功耗 電流鏡 201810
電平位移介紹
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