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瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET(DrMOS)”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET(DrMOS)” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比,在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器(VR)。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
- 關(guān)鍵字: DrMOS MOSFET 單片機(jī) 電源技術(shù) 集成驅(qū)動器 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩
瑞薩科技開發(fā)高可靠性銅電子熔絲技術(shù)
- --全球第一款熔融狀態(tài)切斷的熔絲可防止低介電系數(shù)材料開裂-- 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布開發(fā)出一種用于65nm(納米)工藝的銅電子熔絲技術(shù),其低介電常數(shù)不會導(dǎo)致低介電系數(shù)材料的開裂,因此具有很高的可靠性。 這種新技術(shù)在全球首次實現(xiàn)了利用熔融狀態(tài)下切斷銅熔絲的方法來防止低介電系數(shù)材料的開裂。該技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于65nm制造工藝的試驗階段,且已被證實可提供以下卓越的性能:1.一根熔絲切斷所需的時間少于10μs。2.在熔絲完好無損的條件下,熔絲切斷后
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瑞薩科技發(fā)布電視系統(tǒng)大規(guī)模集成電路
- -- 豐富的電視系統(tǒng)開發(fā)解決方案有助于支持液晶電視、數(shù)字電視、HDMI等應(yīng)用,使降低系統(tǒng)價格成為可能 --瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)今天宣布,推出陣容廣泛的九種電視系統(tǒng)大規(guī)模集成電路(LSI)型號,這些產(chǎn)品將有助于高效而低成本地實現(xiàn)全球市場各種電視系統(tǒng)開發(fā)解決方案。 該產(chǎn)品系列和樣品供貨的開始日期如下。 1.液晶電視LSI(3個型號):2006年(兩個型號)9月6日,2006年10月(一個型號); 2.液晶電視數(shù)字廣播解碼器LS
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瑞薩擴(kuò)展九州后道工序處理工廠生產(chǎn)能力
- --熊本制造工廠將建立一座新的建筑物將鞏固福岡工廠的運(yùn)營-- 瑞薩科技公司宣布,計劃在位于日本九州的瑞薩九州半導(dǎo)體公司的熊本工廠建設(shè)一座新的建筑物,作為全資擁有的后道工序工藝制造子公司。增加新的建筑物的計劃旨在提高生產(chǎn)能力并改進(jìn)效率,從而有助于瑞薩利用新的廠房鞏固瑞薩九州半導(dǎo)體福岡工廠的運(yùn)營。目前熊本工廠主要從事微控制器、混合信號器件和分立器件的組裝和測試業(yè)務(wù)。 今天,半導(dǎo)體市場需要出眾的性能和質(zhì)量,同時面對著降低成本的巨大壓力。為了滿足這種需求,實現(xiàn)前道工序的改進(jìn),例如采用更精細(xì)的制造工藝節(jié)點(diǎn),以及后道
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瑞薩擴(kuò)展日九州后道工序處理工廠生產(chǎn)能力
- --熊本制造工廠將建立一座新的建筑物將鞏固福岡工廠的運(yùn)營-- 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,計劃在位于日本九州的瑞薩九州半導(dǎo)體公司的熊本工廠建設(shè)一座新的建筑物,作為全資擁有的后道工序工藝制造子公司。增加新的建筑物的計劃旨在提高生產(chǎn)能力并改進(jìn)效率,從而有助于瑞薩利用新的廠房鞏固瑞薩九州半導(dǎo)體福岡工廠的運(yùn)營。目前熊本工廠主要從事微控制器、混合信號器件和分立器件的組裝和測試業(yè)務(wù)。 今天,半導(dǎo)體市場需要出眾的性能和質(zhì)量,同時面對著降低成本的巨大壓力。為了
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瑞薩采用間距焊料凸點(diǎn)的芯片對芯片技術(shù)
- -- 30μm超精細(xì)間距焊料凸點(diǎn)和高引腳數(shù)連接有助于實現(xiàn)芯片間高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝阅躍iP產(chǎn)品 -- 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,已開發(fā)出采用30μm超精細(xì)間距焊料凸點(diǎn)的芯片對芯片(COC)技術(shù),以及一種采用該技術(shù)的倒裝芯片球柵陣列(COC-FCBGA)封裝。預(yù)期這種下一代封裝技術(shù)將成為開發(fā)包括數(shù)字設(shè)備和高速網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等新型高性能產(chǎn)品的關(guān)鍵因素。 COC是一種在單個封裝中堆迭多個芯片的結(jié)構(gòu)。新技術(shù)是使用一種超精細(xì)間距的微型凸點(diǎn)將
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瑞薩科技宣布管理團(tuán)隊更迭
- 瑞薩科技公司宣布了其在管理團(tuán)隊方面的最新變化,這是在瑞薩董事會會議上做出的決定。 總裁兼首席執(zhí)行官Satoru Ito將出任主席兼首席執(zhí)行官,并將全面負(fù)責(zé)瑞薩科技的管理工作。Katsuhiro Tsukamoto執(zhí)行副總裁將出任總裁兼首席運(yùn)營官,負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)運(yùn)營。新的任命將進(jìn)一步加強(qiáng)公司結(jié)構(gòu)以達(dá)到更加敏銳和敏捷的管理。 高級執(zhí)行副總裁、董事Yasuhiko Fukuda和高級副總裁、董事Katsumi Suizu將于2006年3月31日從他們目前的職位退休。此外,Yut
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瑞薩發(fā)布具有片上內(nèi)核電控制復(fù)位IC
- 無需上電定時設(shè)計,有助于縮短系統(tǒng)開發(fā)時間 瑞薩科技公司發(fā)布了業(yè)界第一個集成了一個內(nèi)核上電控制功能的復(fù)位IC*1 RNA50C27AUS。該功能可用于采用3.3VI/O電源電壓*2和1.8V內(nèi)核電源電壓*3的雙電源微型機(jī)。樣品將在2006年4月從日本開始出貨。 RNA50C27AUS通過預(yù)先連接諸如晶體管的外部器件,集成了一個內(nèi)核上電控制電路,可以在與I/O電源狀態(tài)協(xié)調(diào)的情況下實現(xiàn)與內(nèi)核電源的上電/斷電控制。這樣就避免了在實現(xiàn)電源系統(tǒng)設(shè)計時所需的復(fù)雜的上電定時設(shè)計。 &
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瑞薩介紹
瑞薩科技株式會社(日文:株式會社ルネサス テクノロジ;英文:Renesas Technology Corp.),由日立制作所和三菱電機(jī)株式會社的半導(dǎo)體事業(yè)部于2003年4月1日合并而成的半導(dǎo)體公司,總部位于日本東京。成立之時(2003年),為世界第三大半導(dǎo)體公司,僅次于英特爾(Intel)和三星(Samsung)。目前(至2008第三季)瑞薩科技為世界第七大半導(dǎo)體公司。
瑞薩科技為移動、汽車及個 [ 查看詳細(xì) ]
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