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        激光剝離 文章 進入激光剝離技術社區

        深圳平湖實驗室在SiC襯底激光剝離技術領域取得重要進展

        • 據深圳平湖實驗室官微消息,為降低材料損耗,深圳平湖實驗室新技術研究部開發激光剝離工藝來替代傳統的多線切割工藝,其工藝過程示意圖如下所示:激光剝離工藝與多線切割工對照:有益效果:使用激光剝離工藝,得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產品單片材料損耗≤120 μm,出片率提升40%,單片成本降低約22%。激光剝離技術在提高生產效率、降低成本方面具有顯著效果,該工藝的推廣,對于快速促進8 inch SiC襯底產業化進程有著重要意義。不僅為SiC襯底產業帶來了輕資產、高效益的新模式,也為其他硬質
        • 關鍵字: 激光剝離  碳化硅  
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        激光剝離介紹

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