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        可控硅dIT/dt測試線路的設計與測量

        • 該測試線路是在傳統的相位控制電路的基礎上增加了兩個配置,利用該線路當可控硅的控制端觸發導通時可產生一個高的上升和下降斜率的電流波通過可控硅的T1和T2,從而可以測量電流的變化率,當可控硅的電特性(靜態參數)發生變化時說明該器件已經受損,此前測量的dIT/dt值即為該可控硅能承受的最大導通電流變化率。
        • 關鍵字: 測試線路  可調電阻  
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        測試線路介紹

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