- 【2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本。 相比第一代產品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%，具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現了高頻運行，縮小了系統尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS(th)
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TO263-7 1200V 溝槽式MOSFET 電動出行
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