- 在當今日美壟斷LED芯片核心技術的格局下，中國LED企業如何打破格局，完成技術攻堅，促進LED發展顯得尤為重要。目前，LED襯底類別包括藍寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導體材料的氮化鎵。
與傳統襯底材料相比，氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越特性，是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。時至今日，氮化鎵襯底相對于藍寶石、碳化硅等襯底的性能優勢顯而易見，最大難題在于價格過高。
厚膜的襯底產品方面：產品有10～50微米
- 關鍵字：
LED 氮化鎵襯底
氮化鎵襯底介紹
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