氮化鎵場效應(yīng)晶體管 文章 最新資訊
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
- 關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器 工業(yè)電力轉(zhuǎn)換 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 碳化硅 SiC
氮化鎵場效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤
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氮化鎵場效應(yīng)晶體管介紹
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