氮化鎵功率 文章 最新資訊

英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業變革

• ●? ?憑借這一突破性的?300 mm GaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長●? ?利用現有的大規模300 mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率●? ?300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓?英飛凌科技股份公司近日宣布，已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。
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