- 3nm，是半導體市場的「熱搜關鍵詞」。光刻機，是眾人爭搶的「香餑餑」。第三代半導體，一出現就在資本市場掀起波瀾。而現在，這類技術的突破，給半導體賽道開啟新一輪熱潮。全球首顆 8 英寸氧化鎵單晶，中國造今年 3 月，杭州鎵仁半導體有限公司發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄。這一成果，也標志著中國氧化鎵率先進入 8 英寸時代。鎵仁半導體成立于 2022 年 9 月，其創始人張輝來自于浙江大學，一直深耕晶體生長及半導體材料研究。該項目最早源自于浙江大學硅材料國家重點實驗室。
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氧化鎵
- 當隱形戰機愈來愈普遍后，使用新材料制作具備探測隱形戰機能力的雷達也迅速發展，中國企業最近發布全球首枚氧化鎵8英寸單晶并宣布進入量產，能讓配備這類先進技術的雷達對飛翼式隱身戰機探測距離達到200km，F-22這類5代戰機探測距離更擴大到400km。據《騰訊網》報道，10年前，當中國大力發展氮化鎵雷達的時候，其它各國還在上一代砷化鎵技術上打轉轉，中國已居于領先地位的技術研究進程并未停歇。 本月5日，杭州鎵仁半導體公司率先發布世界第一顆「氧化鎵8英寸單晶」，號稱可讓中國在下一代半導體領域再次占據優勢地位。報道說
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氧化鎵 雷達 F22
- 在科技的快速發展中，超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日，沙特阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）先進半導體實驗室一項關于超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）晶相異質結（Phase Heterojunction）的新研究發表在《Advanced Materials》上。論文第一作者為陸義博士。文章首次在實驗中展示了β相和κ相Ga2O3之間的清晰的、明確的、原子排列有序的、并具有II型能帶對齊的晶相異質結，為研究Ga2O3/Ga2O3晶相異質結提供了新的見解，并證明利用晶相異質結可以極
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超寬禁帶 氧化鎵 晶相異質結
- _____氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應用領域中展現出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結構不同、制備工藝以及應用場景的不同的區別會有較大的性能差異。而性能指標之間往往存在制約，例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應度、可靠性和靈敏度等需要權衡和折中。對于性能表征也是如此，高響應度一定無法和高精度電流表征同時進行。Tektronix提供了多種性能、架構的測試儀器儀表，滿足探測器在不同極限維度下測試的需求。氧化鎵的
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氧化鎵 Ga2O3 氧化鎵探測器 光電探測器 泰克 Tektronix
- 新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導體發展風生水起。與此同時，第四代半導體也在蓄勢待發，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料。鴻海入局氧化鎵近期媒體報道，鴻海研究院半導體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團隊在第四代半導體的關鍵技術上取得重大突破，提高了氧化鎵在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能。本次研究利用磷離子布植和快速熱退火技術實現了第四代半導體P型氧化鎵的制造，并在其上重新生長N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二極體，結果展
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第四代半導體 氧化鎵
- 近日，廈門大學電子科學與技術學院楊偉鋒教授團隊在第四代半導體氧化鎵（β-Ga2O3）外延生長技術和日盲光電探測器制備方面取得重要進展，為β-Ga2O3異質外延薄膜的大面積生長和高性能的器件應用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，簡單二元組成，帶隙可調，制備工藝簡單等優勢在日盲光電探測器領域受到廣泛關注。在β-Ga2O3薄膜生長方面，研究團隊利用分子束外延技術（MBE）實現了高質量、低缺陷密度的外延薄膜生長。并通過改變反應物前驅體和精密控制生長參數，成功實現了β-Ga2O3
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第四代半導體 氧化鎵 科研
- 3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續發展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導體、材料和產品的回收利用、可再生能源等綠色領域的研發。據了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
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功率半導體 氧化鎵
- 近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進化半導體是以國際首創無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業，創立于2021年5月，專注于以創新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發、生產和銷售的科技型企業。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
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碳化硅 氧化鎵
- IT之家 12 月 12 日消息，據中國科大發布，第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會) 近期在美國舊金山召開。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學術會議，是報告半導體和電子器件技術、設計、制造、物理和建模等領域的關鍵技術突破的世界頂級論壇，其與 ISSCC、VLSI 并稱為集成電路和半導體領域的“奧林匹克盛會”。中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧
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氧化鎵 光電探測器 肖特基二極管
- 可以說，人類在20世界下半葉開始，絕大部分的科技成果都建立在電子計算機之上，而半導體材料，就是各類現代信息技術的基石。自上世紀50年代，以硅和鍺為代表的第一代半導體材料為人類信息技術的高速發展走出了第一步；時間來到20世紀90年代，第二代半導體橫空出世，以砷化鎵、磷化銦為代表的材料為人類在無線電通訊、微波雷達及紅光 LED方面起到了舉足輕重的作用；而近十年來，也被稱為寬禁帶半導體材料的氮化鎵和碳化硅、氧化鋅等第三代半導體，直接推動了功率器件、短波長光電器件、光顯示、光存儲、 光探測、透明導電等領域的高速發
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氧化鎵 半導體 新材料
- 一般來說，半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。迄今為止，半導體材料主要分為：基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導體；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導體以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳化硅的第三代半導體等。過去一年里，我們看到隨著市場對半導體性能的要求不斷提高，及各種利好政策相繼出臺，第三代半導體等新型化合物材料憑借其性能優勢嶄露頭角，迎來了產業爆發風口。在第三代半導體萬眾矚目的時刻，?第四代半導體也正逐漸進入我們的視線?。半導體材料的發展之路· 第
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第四代半導體材料 氧化鎵
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。 然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。 實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
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功率半導體 氧化鎵
- 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
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SiC 講座 功率元件 氧化鎵
- 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
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SiC 講座 功率元件 氧化鎵
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