氧化鎵 文章 最新資訊
GAAFET，新一輪半導體競賽
- GAAFET
- 關鍵字： 氧化鎵
第四代半導體，破曉時刻
- 3nm，是半導體市場的「熱搜關鍵詞」。光刻機，是眾人爭搶的「香餑餑」。第三代半導體，一出現(xiàn)就在資本市場掀起波瀾。而現(xiàn)在，這類技術的突破，給半導體賽道開啟新一輪熱潮。全球首顆 8 英寸氧化鎵單晶，中國造今年 3 月，杭州鎵仁半導體有限公司發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄。這一成果，也標志著中國氧化鎵率先進入 8 英寸時代。鎵仁半導體成立于 2022 年 9 月，其創(chuàng)始人張輝來自于浙江大學，一直深耕晶體生長及半導體材料研究。該項目最早源自于浙江大學硅材料國家重點實驗室。
- 關鍵字： 氧化鎵
國產氧化鎵技術斷崖式領先 雷達性能讓400km內F22無所遁形
- 當隱形戰(zhàn)機愈來愈普遍后，使用新材料制作具備探測隱形戰(zhàn)機能力的雷達也迅速發(fā)展，中國企業(yè)最近發(fā)布全球首枚氧化鎵8英寸單晶并宣布進入量產，能讓配備這類先進技術的雷達對飛翼式隱身戰(zhàn)機探測距離達到200km，F(xiàn)-22這類5代戰(zhàn)機探測距離更擴大到400km。據《騰訊網》報道，10年前，當中國大力發(fā)展氮化鎵雷達的時候，其它各國還在上一代砷化鎵技術上打轉轉，中國已居于領先地位的技術研究進程并未停歇。 本月5日，杭州鎵仁半導體公司率先發(fā)布世界第一顆「氧化鎵8英寸單晶」，號稱可讓中國在下一代半導體領域再次占據優(yōu)勢地位。報道說
- 關鍵字： 氧化鎵 雷達 F22
下一代半導體氧化鎵器件光電探測器應用與測試
- _____氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應用領域中展現(xiàn)出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結構不同、制備工藝以及應用場景的不同的區(qū)別會有較大的性能差異。而性能指標之間往往存在制約，例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應度、可靠性和靈敏度等需要權衡和折中。對于性能表征也是如此，高響應度一定無法和高精度電流表征同時進行。Tektronix提供了多種性能、架構的測試儀器儀表，滿足探測器在不同極限維度下測試的需求。氧化鎵的
- 關鍵字： 氧化鎵 Ga2O3 氧化鎵探測器 光電探測器 泰克 Tektronix
碳化硅風頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)
- 近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進化半導體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
- 關鍵字： 碳化硅 氧化鎵
功率半導體氧化鎵到底是什么
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來?！ 嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
- 關鍵字： 功率半導體 氧化鎵
氧化鎵介紹
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