欠壓保護 文章 最新資訊
功率半導(dǎo)體IGBT熱擊穿失效的可靠性研究
- 摘要：針對變頻空調(diào)使用緣柵雙極型晶體管（IGBT）擊穿短路故障進行分析，確認IGBT為過壓損壞失效。, 空調(diào)供電電源出現(xiàn)大的波動影響芯片供電電源質(zhì)量，電壓偏低導(dǎo)致IGBT開通異常，不能及時欠壓保護，IGBT 長時間處于工作在放大狀態(tài)，IGBT開通損耗大熱擊穿失效。本文主要從電路設(shè)計，工作環(huán)境，模擬驗證等方 面分析研究，確認IGBT擊穿短路失效原因，從設(shè)計電路與物料選型優(yōu)化提升產(chǎn)品工作可靠性。關(guān)鍵詞：驅(qū)動芯片；欠壓保護；熱擊穿；共地線；電源波動；諧波絕緣柵雙極型晶體管（insulated gate b
- 關(guān)鍵字： 202206 驅(qū)動芯片 欠壓保護 熱擊穿 共地線 電源波動 諧波
功率因素校正電路旁路二極管的作用
- 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動電壓降低、其進入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個措施。
- 關(guān)鍵字： 功率因素校正 旁路二極管 線性區(qū) 欠壓保護 202103 MOSFET
欠壓保護電路的少許改進方案
- 仔細分析一款簡單的欠壓保護電路發(fā)現(xiàn)它并不能實現(xiàn)欠壓保護功能，需要進行改進，改進后的電路比原電路使用的l1個元件數(shù)量還要少。此電路之所以能實現(xiàn)欠壓保護，是基于這樣的分析：電壓正常時’b點和a點電壓均較高，單向可...
- 關(guān)鍵字： 欠壓保護
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欠壓保護介紹
當(dāng)被保護線路的電源電壓低于一定數(shù)值時，保護器切斷該線路；當(dāng)電源電壓恢復(fù)到正常范圍時，保護器自動接通。 [ 查看詳細 ]
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