- 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本系列文章的第二部分SiC柵極驅動電路的關鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能。分立式 SiC 柵極驅動為了補償低增益并實現高效、高
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安森美 柵級驅動電路
柵級驅動電路介紹
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