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輕松驅(qū)動(dòng)CoolSiC? MOSFET：柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)指南

• 由米勒電容引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，常被認(rèn)為是當(dāng)今碳化硅MOSFET應(yīng)用的一大缺陷。為了避免這種效應(yīng)，在硬開(kāi)關(guān)變流器的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是這對(duì)于CoolSiC? MOSFET真的有必要嗎？引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓值是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵。借助英飛凌的CoolSiC MOSFET技術(shù)，設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于15-18 V之間的開(kāi)通柵極電壓，從而讓開(kāi)關(guān)擁有最佳的載流能力或抗短路能力。而柵極關(guān)斷電壓值只需要確保器件能夠安全地關(guān)斷。英飛凌建議設(shè)計(jì)人員將MOSFET分立器件的關(guān)斷電壓定為0 V，從而
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