- 賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，發布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優值系數。
- 關鍵字：
MOSFET 最低導通電阻
最低導通電阻介紹
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