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臺(tái)積電：先進(jìn)制程的挑戰(zhàn)在曝光與平坦化技術(shù)

• 　　芯片走向極小化、多任務(wù)、高效能且低價(jià)的態(tài)勢(shì)已不可改變。在后摩爾定律時(shí)代，芯片走向20nm，甚至14nm和10nm制程技術(shù)，曝光技術(shù)將是驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)成長(zhǎng)的關(guān)鍵，而其他如制程、設(shè)備、和材料也將扮演著相當(dāng)關(guān)鍵角色。臺(tái)積電(2330)資深處長(zhǎng)林本堅(jiān)表示，曝光技術(shù)將成為先進(jìn)制程未來(lái)發(fā)展的挑戰(zhàn)，如何能透過(guò)技術(shù)提升，縮減20奈米的曝光成本，將成為當(dāng)前重要課題，供應(yīng)鏈合作創(chuàng)新也將成共識(shí)。 　　此外，平坦化技術(shù)(CMP)則是32nm以下制程的關(guān)鍵，新的晶體管結(jié)構(gòu)和像是TSV等新的封裝技術(shù)都必須倚賴先進(jìn)的平坦化技術(shù)才能
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