- 摘要：簡要敘述了電力半導體模塊的發展過程，介紹了晶閘管智能模塊的結構和特性，描述了IGBT智能模塊的現狀和發展趨勢，指出了我國大力發展IPEM的必要性。
關鍵詞：電力半導體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊
一種新型器件的誕生往往使整個裝置系統面貌發生巨大改觀，促進電力電子技術向前發展。自1957年第一個晶閘管問世以來，經過40多年的開發和研究，已推出可關斷晶閘管(GTO)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導體器件，目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
- 關鍵字：
電力半導體模塊 智能晶閘管模塊 IGBT模塊 半導體材料
智能晶閘管模塊介紹
您好，目前還沒有人創建詞條智能晶閘管模塊!
歡迎您創建該詞條，闡述對智能晶閘管模塊的理解，并與今后在此搜索智能晶閘管模塊的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
