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        晶相異質結 文章 最新資訊

        KAUST:超寬禁帶氧化鎵晶相異質結

        • 在科技的快速發展中,超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日,沙特阿卜杜拉國王科技大學(KAUST)先進半導體實驗室一項關于超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)晶相異質結(Phase Heterojunction)的新研究發表在《Advanced Materials》上。論文第一作者為陸義博士。文章首次在實驗中展示了β相和κ相Ga2O3之間的清晰的、明確的、原子排列有序的、并具有II型能帶對齊的晶相異質結,為研究Ga2O3/Ga2O3晶相異質結提供了新的見解,并證明利用晶相異質結可以極
        • 關鍵字: 超寬禁帶  氧化鎵  晶相異質結  
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        晶相異質結介紹

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