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        晶圓功率半導(dǎo)體 文章 最新資訊

        東芝 300mm 晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠竣工:一期投產(chǎn)后產(chǎn)能是 2021 財(cái)年計(jì)劃的 2.5 倍

        • IT之家 5 月 24 日消息,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(下文簡(jiǎn)稱東芝)于 5 月 23 日發(fā)布公告,宣布其 300 mm 晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠和辦公樓竣工。東芝在新聞稿中表示現(xiàn)階段正在安裝相關(guān)設(shè)備,爭(zhēng)取在 2024 財(cái)年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。一旦一期工程全面投產(chǎn),東芝功率半導(dǎo)體(主要是 MOSFET 和 IGBT)的產(chǎn)能將是 2021 財(cái)年制定投資計(jì)劃時(shí)的 2.5 倍,而二期建設(shè)和開(kāi)始運(yùn)營(yíng)將根據(jù)市場(chǎng)情況再做決定。新的制造大樓遵循東芝的業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃(BCP),并將為東芝的業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃(BC
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        晶圓功率半導(dǎo)體介紹

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