- 本周在舊金山舉行的國際電子器件會議上，來自學術界和工業界的研究團隊展示了有關高性能碳納米管晶體管 （CNT） 和電路的數據。雖然這些器件可能需要十年或更長時間才能集成到產品中，但與會的工程師們認為，該領域已經取得了巨大進步，碳納米管將通過實現低功耗、高性能的計算來提升硅芯片，從而在未來的系統中發揮關鍵作用。CNT 的直徑約為一納米，電子穿過它們。早在 2016 年，研究人員就制造了第一個性能優于基于硅的 CNT 晶體管。然而，事實證明，使用 CNT 構建復雜的電路和系統更具挑戰性。斯坦福大學電氣
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CNT 晶體管設計 碳納米管電路
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