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        新型IGBT軟開關在應用中的損耗分析

        • 本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現在兩個方面:通過采用和改進溝槽柵來優化垂直方向載流子濃度,以及利用ldquo
        • 關鍵字: IGBT  軟開關  損耗分析    

        電子輻照對功率雙極晶體管損耗分析

        • 功率雙極晶體管由于其低廉的成本, 在開關電源中作為功率開關管得到了廣泛的應用。應用電子輻照技術可以減小少子壽命, 降低功率雙極晶體管的儲存時間、下降時間, 提高開關速度, 且一致性、重復性好, 成品率高,
        • 關鍵字: 電子輻照  雙極晶體管  損耗分析    
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        損耗分析介紹

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