- 美國佐治亞理工學院(GeorgiaInstituteofTechnology)和中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士領導的研究小組最近利用垂直生長的納米壓電材料陣列研制出大規模發光二極管陣列，并且利用壓電光電子學效應首次實現利用外界應力/應變改變納米壓電發光二極管發光強度的過程;首次研制出主動自適應式的、高分辨率的、以光電信號為媒介、并行處理的壓力傳感成像芯片系統。相關論文于8月11日在線發表在《自然-光子學》雜志上。
用電信號或光電信號成功實現對高分辨率觸覺(小于50微米，人的皮膚感知
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納米能源 成像芯片
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