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強茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術(shù)車規(guī)級60 V N通道 突破車用電子的高效表現(xiàn)
- 隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展，強茂推出最新車規(guī)級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統(tǒng)的性能與能源效率，降低導(dǎo)通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
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電源應(yīng)用再創(chuàng)新：強茂全新電池充電器解決方案
- 強茂的1.16 kW 電池充電器為綜合性的解決方案，提供高效的電池充電，強調(diào)設(shè)計的精密性、成本效益和擴展性。此方案精選了強茂高品質(zhì)、高效能的電子組件，包括零功耗X電容放電IC、PFC控制器、LLC SR諧振組合控制器、橋式整流器、通用二極體整流器、超級結(jié)面MOSFET和蕭特基二極體。 強茂的電池充電器集成了多個在終端應(yīng)用中常見的功能模塊，例如無人機、兩輪車、機器人、不斷電系統(tǒng)（UPS）以及其他需要穩(wěn)定電池充電解決方案的系統(tǒng)。此產(chǎn)品專為單級功率因數(shù)校正（PFC）而設(shè)計，使功率因數(shù)超過 0.98并采
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強茂新一代ESD系列 為高速應(yīng)用保駕護航 性能突破低耗損與低電容極限
- 強茂推出最新一代的靜電保護組件——第二代ESD保護二極管，結(jié)合了高效率和低漏電流的特點。經(jīng)10 GHz頻率測試，此系列產(chǎn)品的插入損耗數(shù)值為-0.25 dB至-0.38 dB之間。此外，第二代ESD保護二極管具有超低的結(jié)電容值 (Cj)，范圍從0.09 pF到1 pF，并擁有2.6 V到11.6 V的低靜電鉗位電壓，能夠有效降低靜電放電對電子設(shè)備的損害與能量消耗。 為滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求，此新系列產(chǎn)品采用多種封裝形式，包括節(jié)省空間的DFN0603-2L、DFN1006-2L、DFN1006
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強茂推出全新GBJA及KBJB本體矮化型橋式整流器系列
- 強茂推出最新橋式整流器封裝系列：GBJA及KBJB本體矮化型封裝。在電子組件不斷演進的世界中，對于電源供應(yīng)器設(shè)計的輕薄短小需求逐漸增加，我們的矮化型封裝為橋式整流器在這方面提供了更多的選擇。GBJA與GBJ相比可減少在PCB上的整體高度約34%，而KBJB與KBJ相比則可減少PCB整體高度約36%，顯著高度減少使它們適用于空間被壓縮的應(yīng)用中，為體積較小或有高度限制的電源設(shè)計帶來解決方案。 主要特點本體矮化設(shè)計：GBJA和KBJB封裝只減少本體高度而不改變引腳間距及本體寬度。GBJA與GBJ相比，
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