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高驅(qū)動(dòng)電流的隧穿器件設(shè)計(jì)

　　陳玉翔（電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054）　　摘?要：隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）由于其獨(dú)特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設(shè)計(jì)中有力的候選者。傳統(tǒng)MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴(kuò)散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效應(yīng)的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結(jié)縱向隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用以改善器件導(dǎo)通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開(kāi)態(tài)電流由36 μA/μm增加到92
關(guān)鍵字： 202006 隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管帶帶隧穿異質(zhì)結(jié) 開(kāi)態(tài)電流

隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）由于其獨(dú)特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設(shè)計(jì)中有力的候選者。傳統(tǒng)MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴(kuò)散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效應(yīng)的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結(jié)縱向隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用以改善器件導(dǎo)通電流和亞閾值特性，改進(jìn)后的器件開(kāi)態(tài)電流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亞閾值擺幅從32mV/dec降低到15mV/dec。
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