- 陳玉翔（電子科技大學電子科學與工程學院??四川??成都??610054） 摘?要：隧道場效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關態泄漏電流。本文提出了一種異質結縱向隧穿場效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進后的器件開態電流由36 μA/μm增加到92
- 關鍵字：
202006 隧穿場效應晶體管 帶帶隧穿 異質結 開態電流
- 隧道場效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關態泄漏電流。本文提出了一種異質結縱向隧穿場效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進后的器件開態電流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亞閾值擺幅從32mV/dec降低到15mV/dec。
- 關鍵字：
隧穿場效應晶體管 帶帶隧穿 異質結 開態電流
帶帶隧穿介紹
您好，目前還沒有人創建詞條帶帶隧穿!
歡迎您創建該詞條，闡述對帶帶隧穿的理解，并與今后在此搜索帶帶隧穿的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
