- 持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優秀集成方案。如果晶圓測試數據不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估?DRAM?電容器圖形化工藝的工藝窗口。在?DRAM?器件開發中，必須在硅晶圓上刻蝕用于存儲電荷的電容孔陣列。可用來制造?40nm?孔陣列的圖形化方案包括極紫外光刻刻蝕、四重光刻刻蝕、雙自對準雙重
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工藝窗口建模 虛擬制造 DRAM電容器圖
工藝窗口建模介紹
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