- 據國外媒體報道，爾必達總裁阪本幸雄上周五接受媒體采訪時表示，該公司計劃在中國大陸和臺灣建廠，以滿足市場需求并減少稅收成本。
阪本幸雄表示，爾必達必將進軍中國市場，該公司最早將于2012年與一家臺灣芯片制造商合作到大陸建廠，并希望尋求中國政府的支持。爾必達還將加快其臺灣合資公司瑞晶電子第二家工廠的建設進程。
阪本幸雄預計，隨著電腦銷量回升以及新款移動設備對存儲芯片需求的增加，爾必達本財年有望實現創紀錄的利潤和收入。三星電子上月表示，今年將向芯片業務投資89億美元，約為爾必達的10倍。海力士也
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爾必達 存儲芯片
- 據報道，日本DRAM大廠爾必達今天宣布已經研發出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱目前能夠使用40nm工藝實現量產的最小顆粒。該2Gb移動內存顆?；?0nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數據傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。
爾必達稱，新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設計工藝以及
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爾必達 40nm 內存
- 日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經成功開發出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內存條，雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒澞?0%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。
爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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- 據國外媒體報道，日本最大的計算機內存芯片制造商爾必達周三發布了該公司2010財年初步財報。財報顯示，受內存芯片價格上漲及PC銷量增長的推動，爾必達在過去三年中首次實現盈利。
內存價格的大幅上漲，使得處于長期虧損的內存芯片制造商紛紛實現了盈利。爾必達財報顯示，在截至3月31日的2010財年，爾必達的凈利潤為20億日元。這一業績好于2009財年，爾必達在2009財年的凈虧損為1789億日元。
根據亞洲最大芯片現貨市場的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)此前
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爾必達 內存芯片
- 本月早些時候，日本爾必達公司向美國佛吉尼亞東區法庭提交了針對英飛凌公司和百思買公司的訴狀，指這兩家公司違反國際貿易委員會(ITC)的有關規定。爾必達公司指控這兩家公司生產/銷售/進口的產品侵犯了自己有關移動設備用半導體集成電路的幾項專利。
不僅如此，爾必達公司還向該法院遞交了另外一份訴狀，訴狀指英飛凌公司生產的微控制器產品觸犯了爾必達公司幾項與汽車電子設備有關的專利。
為此，爾必達公司在訴狀中請求美國法院禁止這兩家公司生產/銷售的有關產品在美國地區進口/銷售，并要求對已售出的有關產品對爾必
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- 爾必達近日向美國法院對英飛凌提起兩項專利侵權訴訟，此次訴訟可以看作是爾必達對英飛凌起訴的反擊，雙方的半導體芯片大戰開始升級。
訴訟之一，爾必達稱英飛凌侵犯了其三項與手機有關的微控制器美國專利，這其中就涉及英飛凌為蘋果iPhone生產的微控制器。第二項訴訟是英飛凌侵犯用于汽車組件的微控制器專利。
爾必達在手機微控制器侵權聲明中表示，英飛凌拒絕了爾必達的專利授權，在不顧爾必達專利的情況下繼續出售微控制器。
該手機微控制器訴訟中還提到了百思買，原因則是后者銷售使用侵犯爾必達專利微控制器的手
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- 據業者透露，臺灣華邦公司最近已經開始為爾必達內存公司代工GDDR顯存芯片產品，其月產能為5000片晶圓。不過，由于華邦認為NOR閃存毛利更高，因 此其保留了部分產能用來制作NOR閃存，這便導致目前華邦公司的GDDR芯片產能僅能滿足爾必達一半的需求。
據業者分析，由于爾必達公司顯存業務量的激增，爾必達目前對華邦GDDR芯片的產能需求在每月1萬片左右，而華邦則被NOR閃存最近的漲價風聲所吸引，增大了NOR閃存的產能，這樣自然就影響到了其GDDR閃存的產能。
華邦計劃到下半年將其NOR閃存芯片的
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- 3月4日消息，據國外媒體報道，爾必達公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業，該公司去年3月申請破產。
爾必達記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬美元)收購Spansion的NAND相關資產，其中包括在意大利的一個研發工廠。
爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用增長趨勢明顯，爾必達正在追趕DRAM領域的領軍企業三星電子和海力士半導體
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- 日本爾必達周四稱，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產。
爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用愈發增加。爾必達正在追趕DRAM領域的領軍企業三星電子和海力士半導體。
爾必達發言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術，及意大利的四五十名工程師進行談判。他拒絕就該公司將為該收購案斥資的規模進行評論。
日本經濟新聞報導稱，爾必達記憶體將斥資30-50億日圓(合3400-5
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爾必達 DRAM
- 日本經濟新聞報導，日廠爾必達(Elpida)與臺廠力晶合資成立的瑞晶，計劃在2010年度內將DRAM產能提高為目前的2倍。
日經報導，雙方將投資約400億日圓(約4.3億美元)將瑞晶產線全數轉進45奈米制程，以提高生產效率。
另一方面，爾必達亦計劃對該公司生產主力的廣島廠加碼投資600億日圓進行增產，估計含瑞晶在內，總產能將擴增為1.6倍，可望追上三星電子(Samsung Electronics)。
報導指出，瑞晶目前月產能為7.5萬片(以12寸晶圓計)，目前采用的是65奈米制程技術
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- 爾必達公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經開始量產40nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，爾必達公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內存芯片技術的開發工作，而他們只用了兩個月的時間便將這項技術投入了量產。
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比較現有的50nm制程技術，40nm制程能在每片晶圓上多產出44%的DDR3內存芯片，而且新制程用于生產1.6Gbps規格的DDR3內存芯片時的良率可達100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產品的1.5V降低了2/3左右，達到1
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- 爾必達公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內存芯片產品的開發工作，并稱使用這種新制程技術制作出的內存芯片在制作成本方面要比現有的50nm制程內存芯片更低。當應用在300mm尺寸晶 圓上時，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開發完成)的產出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設備上的費用投資。
這種65nm XS制程技術的1Gb DDR3內存芯片面向的
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- 12月11日訊，據國外媒體報道，受到內存需求大于供給的利好影響，日本最大的內存生產企業爾必達內存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結束時實現開業三年來首次出現年度贏利。
爾必達內存公司首席執行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱：“由于今年全球電腦市場對內存需求大于供給，我們也將在本財年結束時首次實現年度盈利。”
日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱：“盡管這種
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- 據臺灣經濟日報報道，日本記憶體晶片大廠爾必達與臺灣茂德、華邦結盟，市場揣測會趁勢入股茂德與華邦。爾必達社長坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示：“目前沒有，但以后的事很難說。”強調爾必達會積極與臺灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。
茂德董事長陳民良透露，將引進新的投資對象，目前潛在合作對象有四個集團，但堅決不透露是誰中選。
業內揣測，有意入股或金援茂德者，可能是結盟的爾必達，或已是茂德大股東的聯電。另外，外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
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- 臺“立法院經濟委員會”本月26日一致投票通過反對臺經濟部一項要求政府向臺灣創新記憶體公司(TIMC)注資的提案，這意味著臺灣當局主導的力圖重建本土內存工業的改革計劃第四次遭到政府其它部門的反對。
與此形成鮮明對比的是，韓國聯合通訊社本月26日援引韓國知識經濟部的說法，稱南韓政府計劃支持三星以及海力士公司開發自旋極化磁隨機存取內存技術(STT-MRAM)的項目.政府將于2014年前向該項目注資240億韓元(合2050萬美元)，占項目總預算的一半。
此前三星與海力士公司
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爾必達介紹
Elpida ELPIDA\爾必達是日本最主要的DRAM半導體芯片制造廠商,主要生產DRAM顆粒,并且自己制造原產的ELPIDA內存條.Elpida在歐美市場以提供高品質的DRAM類產品而著稱,但因在大陸地區韓系廠商的流行,且本身定位于高端產品所以目前在中國較少有貨物銷售,但同時也為廣大業者帶來潛在的商機.
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