- 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產業對于高頻率、低耗損的表現需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環境作業下損失較少功率的化合物半導體材料，備受產業期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導體的器件，能夠滿足傳統硅基半導體所不能滿足的諸多優點。放眼全球化合物半導體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
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碳化硅 寬能隙半導體
寬能隙半導體介紹
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