寬禁帶半導(dǎo) 文章 進入寬禁帶半導(dǎo)技術(shù)社區(qū)

發(fā)展第三代半導(dǎo)體 基礎(chǔ)研究成難題

• 　　“寬禁帶半導(dǎo)體就像一個小孩，還沒長好就被拉到市場上去應(yīng)用?！痹?1月8日至9日召開的香山科學(xué)會議上，中科院院士、中科院半導(dǎo)體所研究員夏建白打的比方引起不少與會專家的共鳴?！　∠慕ò姿f的寬禁帶半導(dǎo)體又被稱為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等材料是其主要代表。　　如果說以硅為代表的第一代半導(dǎo)體是集成電路的基石，第二代半導(dǎo)體如砷化鎵促成了信息高速公路的崛起的話，那么第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。　　現(xiàn)在的
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