外延生長(zhǎng) 文章 最新資訊

信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(zhǎng)帶來(lái)了有力輔助

• 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來(lái)新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(zhǎng)帶來(lái)了有力輔助。2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長(zhǎng)的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開(kāi)始供應(yīng)樣品。圖片來(lái)源：信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來(lái)生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長(zhǎng)的大直徑基板，因此無(wú)法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù)，可實(shí)現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長(zhǎng)，并抑制SEMI標(biāo)準(zhǔn)厚度的QS
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