- 本文介紹了三極管飽和及深度飽和狀態的理解和判斷。
三極管飽和問題總結：
1.在實際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和;倍數越大，飽和程度就越深。
2.集電極電阻 越大越容易飽和;
3.飽和區的現象就是：二個PN結均正偏，IC不受IB之控制
問題：基極電流達到多少時三極管飽和?
解答：這個值應該是不固定的，它和集電極負載
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三極管 基極
- 1947年12月，貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓在威廉·肖克利的指導下共同發明了點接觸形式的雙極性晶體管，從這一天開始整整一個時代拉開了序幕 。
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晶體管 三極管 基極 放大器 VBE
- 電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力。
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- 恒流源與穩壓源一樣，是電子線路中的基本單元。隨著電子技術和元器件的發展，恒流技術已得到了快速的發展和廣泛...
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穩壓 基極 發射 并聯
- 本文所示為一觸摸式電器開關電路，電路簡單，容易制作。
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基極 導通 回路 功率
基極介紹
三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。三極管的結構示意圖如圖1所示，電路符號如圖2所示。
從三個區引出相應的電極，分別為基極b，發射極e和集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電極。
共基極電路：
輸入信號電壓Vi加在發射極， [
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