- 于本周舉行的2024年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件，該組件包含采用垂直堆棧技術形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進行接點圖形化，不過imec也展示了改從晶圓背面處理接點圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率，將其從11%提升到79%。 CMOS互補式場效晶體管（CFET）組件搭配中間介電層（MDI）以及
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imec 單片式 CFET 功能組件 垂直堆棧金屬接點
垂直堆棧金屬接點介紹
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