- OLED顯示技術被稱為是第三代顯示技術，正是基于這種說法，中國大陸的OLED產業(yè)才得以蓬勃發(fā)展，不少公司都在爭先恐后的投入巨資建設OLED顯示器件生產線，原因很簡單，那就是我們在CRT和LCD時代均落后于人，希望能在OL
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解析 器件 顯示 AM-OLED
- 1 引言 為了精確地輸出正弦波、調幅波、調頻波、PSK及ASK等信號，并依據(jù)直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital ...
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DDS 器件 正弦波 信號 調制信號
- 1 引言典型的微控制器（MCS51系列，MCS98系列，M68000系列，PIC系列等）片的內部都集成了少量的RAM、ROM及計數(shù)器，具有有限的 I／O能力，這在構成一般小型應用系統(tǒng)時，或許可以滿足開發(fā)者的需求。但對于大型的單片機
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外圍 電路 擴展 單片機 進行 PSD 系列 器件 運用
- 在您努力想要穩(wěn)定板上的各種信號時，信號完整性問題會帶來一些麻煩。IBIS 模型是解決這些問題的一種簡單方法。您可以利用 IBIS 模型提取出一些重要的變量，用于進行信號完整性計算和尋找 PCB 設計的解決方案。您從 I
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信號完整性 器件 特性阻抗
- 中心議題： 過壓保護器件的選型要點 過流保護器件的選型技巧 過溫保護器件的選型考慮
隨著電子系統(tǒng)的復雜性和集成度越來越高，而工作電壓越來越低，電子系統(tǒng)對可靠性、穩(wěn)定性和安全性的要求也越來越高，電
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選型 技巧 器件 保護 過流 常用
- 中心議題： 汽車電子設備電源極性接反的傳統(tǒng)二極管保護方式 汽車電子設備電源極性接反的聚合物正溫度系數(shù)保護方式解決方案： 大功率MOSFET電路的保護 電機保護
汽車電子設備必須具備應對電源極性接反故
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PPTC 器件 保護 電源極性
- 1 引言
為了精確地輸出正弦波、調幅波、調頻波、PSK及ASK等信號，并依據(jù)直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital FrequencySvnthesizer，簡稱DDFS)技術及各種調制信號相關原理，設計了一種采用新型DDS器件產生正弦波信
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DDS 器件 調制信號 正弦波信號
- 近日在AETC(歐洲的ARM技術會議)，賽靈思公司宣布，該公司現(xiàn)已開始發(fā)售其Zynq-7000 EPP(擴展式處理平臺)設備，并運行一個基于Linux的應用程序的設備，提供了第一個公開演示。
Zynq-7020 EPP最初的樣品目前正在出貨為早期試用計劃的參與者，跟蹤生產合格的零件使其走向正規(guī)，在2012年下半年開始出貨。
“自從我們在2010年4月首次推出的可擴展處理平臺程序以來，我們很高興的看到早期客戶充分利用他們所完成并運用他們的系統(tǒng)對這些設備”Lawrenc
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賽靈思 器件 ships Zynq-7000
- 簡介
AD9779 TxDAC的DAC輸出采樣速率最高可達1 GSPS.在某些應用中，例如需要波束導引的應用，用戶可以同步多個AD9779.因此，當AD9779以接近最高速度工作時，TxDAC時序特性變得至關重要。
本應用筆記不
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TxDAC 9779 AD 器件
- 作為一年一度大學生人才培養(yǎng)與創(chuàng)業(yè)指導的重要活動，“2011年未來電子技術發(fā)展與專業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇”秉承前一屆的成功經驗，于2011年12月9日在北京會議中心如期舉行。
本次論壇是由中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院主辦，由賽迪顧問股份有限公司承辦，日本村田制作所贊助。以“成長于信息時代 奮斗于電子夢想”為主題，圍繞“電子技術發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢展望”、“下一代信息技術產業(yè)重點領域解析”與“大學生學習與
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村田制作所 器件
- 1. 引言
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為
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UPS 應用 電源 間斷 器件 IGBT 功率
- 10.4 PLD器件的應用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語言一、ABEL源文件的結構二、ABEL的基本語法10.4.3 應用舉例10.4 PLD器件的應用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語言一、ABEL源文
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PLD 器件
- 當線寬遠高于10微米時，純凈度還不像今天的器件生產中那樣至關緊要。旦隨著器件變得越來越集成， 超凈間也變得越來越干凈。今天，工廠內是加壓過濾空氣，來去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導體制造車間里的工人被要求著超凈服來保護器件不被人類污染。
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半導體 器件 芯片
- 中心議題： 大功率直流電源的拓撲結構 大功率直流電源的控制方案 電源的數(shù)據(jù)傳輸拓撲結構
本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術設計大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
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電源 技術 研究 DC/DC 大功率 IGBT 器件 基于
- 摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。
關鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融
- 關鍵字：
模式 比較 失效 器件 及其 IGBT
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