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突破技術壁壘！華東理工自主研發鈣鈦礦單晶芯片通用生長技術

• 新華社客戶端5日報導，華東理工大學清潔能源材料與器件團隊，日前自主研發了一種鈣鈦礦單晶芯片通用生長技術，將晶體生長周期由7天縮短至1.5天，實現了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導體的低溫、快速、可控制備，為新一代高性能光電子器件提供了豐富材料庫。相關成果發表于國際學術期刊《自然·通訊》。報導稱，長期以來，國際上未有鈣鈦礦單晶芯片的通用制備方法，傳統方法僅能以滿足高溫環境、生長速率慢的方式制備幾種毫米級單晶，極大限制了單晶芯片的實際應用。對于鈣鈦礦單晶芯片生長所涉及的成核、溶解、傳質、反應等多個過程，華東理工大
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