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        半導體核芯 文章 最新資訊

        第三代半導體核芯氮化鎵,何時紅透半邊天?

        • 半導體研究隨著以空間技術、計算機為導向的第三次科技革命(1950年)拉開帷幕。半導體產業作為知識技術高度密集、資金密集、科研密集型產業,由上游(半導體材料)、中游(光電子、分立器件、傳感器、集成電路)、下游(終端電子產品)組成。第一代半導體材料:硅、鍺元素。金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)已在各類電子器件、集成電路中廣泛應用。第二代半導體材料:砷化鎵、磷化銦等化合物。禁帶寬度比第一代半導體材料大,但擊穿電壓不夠高,在高溫、高功率下應用效果不理想,砷化鎵源材料有
        • 關鍵字: 半導體核芯  氮化鎵  
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        半導體核芯介紹

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