- 單壁碳納米管(swcnt)因碳原子排布方式不同可表現為金屬性或半導體性，其中半導體性swcnt具有納米尺度、良好的結構穩定性、可調的帶隙和高載流子遷移率，被認為是構建高性能場效應晶體管的理想溝道材料，并可望在新一代柔性電子器件中獲得應用。然而，金屬性和半導體性swcnt的結構和生成能差異細微，通常制備得到的碳納米管中含有約三分之一金屬性和三分之二半導體性swcnt，這種不同導電屬性swcnt的混合物無法用于高性能電子器件的構建。因此，高質量半導體性swcnt的可控制備是當前碳納米管研究的重點和難點。
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半導體性 碳納米管
- 日本產業技術綜合研究所日前提出了在單層碳納米管（SWCNT）中有選擇地分離金屬性SWCNT和半導體性SWCNT的方法。 首先在雙氧水中對金屬性SWCNT和半導體性SWCNT混合而成的市售SWCNT（金屬性SWCNT占1/3）進行熱處理，利用半導體性SWCNT先于金屬性SWCNT發生氧化和燃料的原理，成功地將金屬性SWCNT的含量濃縮到了80％。金屬性SWCNT有望作為透明電極材料取代ITO（銦錫氧化物）。另外，由于有望能夠對SWCNT結構進行有選擇地控制，因此將來通過有選擇地提取半導體性
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半導體性 產綜研 金屬性 嵌入式系統 碳納米管
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