動態(tài)存儲器文章最新資訊

IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

　　IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導(dǎo)體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。　　IBM表示，使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術(shù)的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。　　IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。　　IBM希望將3
關(guān)鍵字： IBM 32nm DRAM 動態(tài)存儲器

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動態(tài)存儲器介紹

目錄 1 定義 2 原理 3 類別和相關(guān)產(chǎn)品 4 優(yōu)缺點： 5 應(yīng)用領(lǐng)域動態(tài)存儲器-定義原理圖　在指定功能或應(yīng)用軟件之間共享的存儲器。如果一個或兩個應(yīng)用軟件占用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應(yīng)用軟件分配存儲器空間。例如，日歷、短信息 (Short Message Service，SMS)和電話簿 (或通訊錄) 可能會共享移動設(shè)備中的動態(tài)存儲 [ 查看詳細 ]

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