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SiC國際會(huì)議：從功率元件到傳感器和集成電路
- 作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國際會(huì)議“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國俄亥俄州克利夫蘭舉行。會(huì)上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進(jìn)行了成果發(fā)表。雖然以SiC制功率元件相關(guān)成果為中心，但發(fā)表的內(nèi)容其實(shí)涉及多個(gè)方面。比如，還有采用SiC制成的傳感器及可支持高溫工作的集成電路，以及SiC材料金剛石和在SiC基板上形成石墨烯等成果發(fā)表。
- 關(guān)鍵字： 功率元件 傳感器
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