- 自力積電官網獲悉，力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術獲AMD等美、日大廠采用，將結合一線晶圓代工廠的先進邏輯制程，開發高帶寬、高容量、低功耗的3D AI芯片，發揮3D晶圓堆疊的優勢，為大型語言模型人工智能（LLM_AI）應用及AI PC提供低成本、高效能的解決方案。同時針對GPU與HBM（高帶寬內存）的高速傳輸需求，力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer（中間層），也通過國際大廠認證，將在該公司銅鑼新廠導入量產。
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- IT之家 2 月 8 日消息，據日經新聞近日報道，晶圓代工企業力積電計劃今年上半年與日企 Power Spin 達成合作，目標 2029 年實現 MRAM 內存量產。雙方的合作中，Power Spin 將提供 MRAM 相關 IP 授權，力積電進行進一步的量產化研發和試產，最終達到量產目標。▲ 力積電商標據了解，Power Spin 由日本東北大學于 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相關技術。▲ Power Spin 商標MRAM 內存是一種非易失性內存，其在擁有高
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MRAM內存 力積電
- 12月13日消息，力積電將借助日本新建工廠大幅發展期汽車半導體業務。力積電首席執行官黃崇仁在接受媒體采訪時表示：“日本有巨大的機會”，日本具有廣闊的市場前景和眾多車企聚集的地域優勢。他補充表示，“目前汽車產品僅占我們銷售額的8%，通過進軍日本市場，我們計劃在未來將這一比例提高到30%”。為了更好地進入日本市場，力積電計劃與金融集團SBI Holdings共同投資8000億日元（約合55億美元）建立合資企業，在日本宮城縣大平市建造新廠。第一階段，該公司將投資4200億日元，從2027年開始以每月1萬片的規模
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- 中國晶圓廠投資的重點放繼續放在成熟技術。
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- 在5G、AI、IoT可說是近幾年半導體產業最熱門的議題的情況下，為因應5G時代AI邊緣運算需求持續增加，如何提升IoT芯片AI運算效率卻不增加功耗，已成為IC設計產業難題。對此，力積電董事長黃崇仁表示，透過力積電新開發的AI芯片，可以有效降低AIoT應用服務設備開發成本。
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