關(guān)斷特性 文章 進(jìn)入關(guān)斷特性技術(shù)社區(qū)

結(jié)電容對功率MOSFET關(guān)斷特性的影響分析

• 摘 要：為了分析功率MOSFET關(guān)斷特性，本文基于結(jié)電容的概念探討了功率MOSFET關(guān)斷過程的機(jī)理并推導(dǎo) 了數(shù)學(xué)模型，表明了MOSFET關(guān)斷過程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模 型，仿真結(jié)果對數(shù)學(xué)模型進(jìn)行了驗(yàn)證；設(shè)計(jì)了雙脈沖實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型和仿真結(jié)果一致。研究結(jié)論有助于 器件設(shè)計(jì)優(yōu)化和應(yīng)用改善。關(guān)鍵詞：關(guān)斷特性；結(jié)電容；Spice模型；雙脈沖1 引言功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect tran
• 關(guān)鍵字： 202210  關(guān)斷特性  結(jié)電容  Spice模型  雙脈沖