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        充電損害 文章 最新資訊

        為IC設計減少天線效應

        • 如同摩爾定律所述,數十年來,芯片的密度和速度正呈指數級成長。眾所周知,這種高速成長的趨勢總有一天會結束,只是不知道當這一刻來臨時,芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發展,芯片密度不斷增加,而閘級氧化層寬度不斷減少,超大規模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制,天線效應便是其中之一。
        • 關鍵字: IC設計  天線  天線效應  充電損害  MOS  
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        充電損害介紹

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