- 如同摩爾定律所述,數十年來,芯片的密度和速度正呈指數級成長。眾所周知,這種高速成長的趨勢總有一天會結束,只是不知道當這一刻來臨時,芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發展,芯片密度不斷增加,而閘級氧化層寬度不斷減少,超大規模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制,天線效應便是其中之一。
- 關鍵字:
IC設計 天線 天線效應 充電損害 MOS
充電損害介紹
您好,目前還沒有人創建詞條充電損害!
歡迎您創建該詞條,闡述對充電損害的理解,并與今后在此搜索充電損害的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473